台积电退出氮化镓代工，英诺赛科聚焦IDM模式

《科创板日报》7月10日讯（记者陈俊清）全球晶圆代工龙头台积电将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务。纳微半导体公布8-K文件，称在获悉台积电将于2027年7月停止GaN生产后，将继续计划实现氮化镓晶圆供应来源多元化。台积电证实了退出计划，强调是基于市场动态与公司长期业务策略的选择。

在台积电退出之际，英飞凌宣布其300mm晶圆首批样品将于2025年第四季度向客户提供。“氮化镓产业不适合代工”，英诺赛科董事长骆薇薇分享看法，认为氮化镓晶圆并不适合代工模式，GaN器件需与设计、应用深度协同，通过IDM模式直接对接市场是当下更为适合的生产方式。

据了解，英诺赛科采取IDM经营模式，截至2024年末，该公司氮化镓月产能已达1.3万片晶圆，良品率超95%。有多名业内人士表示，目前实现12英寸氮化镓晶圆产业化仍有较大阻碍，骆薇薇认为，12寸氮化镓晶圆产业化的阻碍首当其冲的是市场目前并没有MOCVD厂商公开宣布已推出支持12英寸氮化镓外延的解决方案。

Yole预测，全球GaN功率器件市场规模将从2023年的约5亿美元增长至2029年的22亿美元，年复合增长率（CAGR）达43%。英诺赛科2024年财报显示，该公司在新能源汽车、AI以及人形机器人领域取得较大突破。骆薇薇表示，目前业务增速较快的领域主要集中在消费电子，从长期来看，工业领域的市场空间更大。

关于未来研发方向，据吴金刚透露，英诺赛科以1200V器件为突破口，聚焦汽车和工业场景，与碳化硅形成差异化竞争。其中，车载专用氮化镓器件是研发的重点方向之一。其二是高压部分，加大低压高频氮化镓功率器件的研究，其三是100V氮化镓功率器件的研究，瞄准AI数据中心48V转12V、新能源汽车以及机器人领域。

产能方面，英诺赛科正在扩产，计划在2025年底达到每月2万片的产能，目标2028年实现每月生产7万片氮化镓晶圆。同时，据骆薇薇预测，与12英寸氮化镓晶圆预计2030年后实现产业化。（文章来源：科创板日报）

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